У 2015 році компанія Samsung затіяла будівництво нового гігантського заводу з випуску напівпровідників. На будівництво та обладнання виділена вражаюча сума в $ 13,6 млрд. Підприємство поблизу міста Пхентхек (Pyeongtaek) розкинеться на площі 2,89 млн м2. Проектна потужність підприємства, яка буде досягнута в чотири етапи в 2019 році, складе 200 тис. 300-мм пластин на місяць. Близько половини пластин планується віддавати під випуск багатошарової флеш-пам'яті 3D NAND, що додатково зміцнить і без того міцні позиції Samsung на ринку незалежної пам'яті.

Свіжим повідомленням південнокорейське видання Seoul Economy Daily рапортує, що перші лінії на новому заводі Samsung почнуть випускати серійну продукцію до початку липня. Це буде передова за нинішніми мірками 64-шарова пам'ять 3D NAND. Першу серійну пам'ять з 64-шарами компанія почала випускати в обмежених обсягах в кінці минулого року на іншому своєму заводі в Південній Кореї. Також 64-шарову 3D NAND в кінці літа минулого року мала розпочати випускати компанія Toshiba. Більш щільну пам'ять масово поки ніхто не випускає. Тільки в другій половині цього року до виробництва 72-шарової 256-Гбіт 3D NAND TLC приступить компанія SK Hynix.

Раніше повідомлялося, що новий завод Samsung може почати масовий випуск пам'яті 3D NAND вже в квітні, що на один квартал раніше запланованого. Судячи по свіжому повідомленням, зробити цього не вдалося, а шкода. Пам'ять 3D NAND якраз почала зростати в ціні, тому запуск підприємства Samsung на квартал раніше був би дуже до речі. Зрозуміло, для нас, для споживачів. Для компанії Samsung відстрочка - це можливість заробити зайву копійчину на дорожчають угодах по 3D NAND.