Днями компанія Tsinghua Unigroup знову стала центром уваги з боку засобів масової інформації. У неділю в районі міста Нанкін (східний Китай) в присутності місцевої і регіональної партійної верхівки і керівників міста президент Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) оголосив про початок будівництва великого заводу для випуску флеш-пам'яті 3D NAND і пам'яті DRAM. Це друге за рахунком підприємство для випуску 3D NAND, в яке Tsinghua інвестує кошти за останні 12 місяців.

У недавньому минулому Tsinghua Unigroup намагалася налагодити тісні контакти з компаніями Micron, SK Hynix і поруч тайваньських виробників, щоб отримати доступ до більш-менш великим партіям флеш-пам'яті і пам'яті типу DRAM. Незалежна і оперативна пам'ять потрібна китайської електронної промисловості у все зростаючих кількостях, тоді як основне виробництво пам'яті контролюється компаніями, на які у Китаю немає важелів впливу. Вихід в даній ситуації може бути тільки один: побудувати свої власні заводи, благо грошей на це хоч відбавляй.

У серпні минулого року Tsinghua створила СП Yangtze River Storage Technology з компанією XMC і приступила до будівництва 300-мм заводу загальною потужністю 300 тис. пластин на місяць. У цей проект інвестується близько $ 24 млрд. Другий завод, будівництво якого стартувало 12 лютого, отримає інвестиції в обсязі $ 30 млрд і ще близько 30 млрд юанів буде витрачено місцевою владою. Перша черга ліній, яка зажадає інвестицій в обсязі $ 10 млрд, зможе випускати щомісячно до 100 тис. 300-мм пластин з чіпами пам'яті NAND і DRAM.

Новий заводський комплекс під Нанкін розкинеться на площі 6 км2. Крім заводу з випуску пам'яті на території нового технопарку будуть побудовані дослідний центр, корпусу для навчальних установ, комерційні заклади, будівлі для проживання співробітників і інші інфраструктурні об'єкти, необхідні для роботи одного з найбільших в країні заводів. Додамо, в компанії поки не повідомляють про дату введення підприємства в дію, але зазвичай на запуск першої черги ліній потрібно близько двох років.