Компания Samsung Electronics объявила об увеличении объемов выпуска микросхем памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объемом 8 ГБ. По словам производителя, он стремится удовлетворить растущую потребность в этой памяти «в широком спектре приложений», включая средства искусственного интеллекта, суперкомпьютерные вычисления, графические решения, сетевые системы и корпоративные серверы.

 Микросхемы HBM2 объемом 8 ГБ, выпускаемые Samsung, демонстрируют высокие показатели производительности, надежности и энергетической эффективности. Такая микросхема состоит из восьми кристаллов памяти и нижнего буферного кристалла. Каждый кристалл памяти имеет более 5 000 контактов TSV для межслойного соединения, то есть в одной микросхеме Samsung HBM2 объемом 8 ГБ насчитывается более 40 000 соединений. Это позволяет получить

большую пропускную способность и надежность, поскольку данные автоматически перенаправляются по другим соединениям, если выявлена задержка передачи. Пропускная способность HBM2 равна 256 ГБ/с. Для сравнения: микросхема GDDR5 характеризуется пропускной способностью 32 ГБ/с. Производитель также отмечает наличие средств защиты от перегрева.

 В компании Samsung рассчитывают, что в первой половине будущего года микросхемы HBM2 объемом 8 ГБ будут составлять более половины всех микросхем HBM2, выпускаемых на ее мощностях.