В 2015 году компания Samsung затеяла строительство нового гигантского завода по выпуску полупроводников. На строительство и оборудование выделена впечатляющая сумма в $13,6 млрд. Предприятие вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek) раскинется на площади 2,89 млн м2. Проектная мощность предприятия, которая будет достигнута в четыре этапа в 2019 году, составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Около половины пластин планируется отдавать под выпуск многослойной флеш-памяти 3D NAND, что дополнительно укрепит и без того прочные позиции Samsung на рынке энергонезависимой памяти.

Свежим сообщением южнокорейское издание Seoul Economy Daily рапортует, что первые линии на новом заводе Samsung начнут выпускать серийную продукцию до начала июля. Это будет передовая по нынешним меркам 64-слойная память 3D NAND. Первую серийную память с 64-слоями компания начала выпускать в ограниченных объёмах в конце прошлого года на другом своём заводе в Южной Корее. Также 64-слойную 3D NAND в конце лета прошлого года должна была начать выпускать компания Toshiba. Более плотную память массово пока никто не выпускает. Только во второй половине этого года к производству 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC приступит компания SK Hynix.

Ранее сообщалось, что новый завод Samsung может начать массовый выпуск памяти 3D NAND уже в апреле, что на один квартал раньше запланированного. Судя по свежему сообщению, сделать этого не удалось, а жаль. Память 3D NAND как раз начала расти в цене, поэтому запуск предприятия Samsung на квартал раньше был бы очень кстати. Разумеется, для нас, для потребителей. Для компании Samsung отсрочка — это возможность заработать лишнюю копеечку на дорожающих сделках по 3D NAND.